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모바일 제품, 디지털 가전을 비롯해 메모리의 용도는 해마다 확대되고 있습니다. 당사는 최신 메모리 IC를 소개합니다.


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메모리·Storage Device
얇음 1.0 mm의 패키지에 5단까지 적층시킨 MCP [ Toshiba Semiconductor ]
Toshiba Semiconductor 가 개발한 두께 1.0 mm의 패키지에 5단 적층시킨 MCP입니다. (금년 1월에 발표한 두께 1.4 mm의 패키지에 9단까지 칩을 적층시킬 수 있는 MCP의 제조 기술을 응용한 것입니다.) MCP에 봉입하는 칩은 1매당 70μm, 와이어의 형상이나 본딘그핏치의 배치를 궁리한 다중 본딘그 기술을 활용하고 있습니다.
패키지가 1.4 mm에서 1.0 mm로 0.4 mm 얇아짐으로써, 모바일 기기에의 탑재 가능한 에리어가 넓어져, 설계가 보다 자유로와집니다.
FCRAM ™
512MbitNetWorkFCRAM ™ TC59LM906/914/905/913 시리즈 [ Toshiba Semiconductor ]
TC59LM906AMG-37은, Router 등의 네트워크 기기용 고성능 메모리 NetWork FCRAM ™ 입니다. 데이터의 Read/Write 시간이 최소 22.5 나노초로 SRAM수준의 고속 성능을 갖춘데다, 범용 DRAM과 동등한 대용량을 실현하고 있기 때문에, 고속, 대용량 메모리의 도입에 의한 시스템의 재구축 등에 적합합니다. 
4 기가비트 NAND형 플래쉬 메모리
4 GbitNAND형 플래쉬 메모리 TC58NVG2D4BFT00 [ Toshiba Semicobductor ]
본제품은, 수요가 급증하고 있는 대용량 메모리 카드 전용으로, 90나노미터 프로세스의 미세 가공 기술을 이용한 업계 최대 용량 4기가비트 NAND형 플래쉬 메모리입니다. 

문의처 : 신재원 이사 TEL:02-556-5288 , e-mail : j-shin@midoriya.co.jp